Поиск инвестиций
Микроэлектроника
Электроника

Создание кооперационной цепочки на основе нитридных технологий: материалы, оборудование, устройства

Проект направлен на создание кооперационной цепочки в сфере микроэлектроники на основе нитридных технологий для разработки и освоения отечественных технологий
Кластер
Инновационный территориальный кластер «Зеленоград»
Стадия проекта
Разработка концепции
Запуск проекта
2 кв. 2020
Требуемые инвестиции
1 800 000 ₽
О проекте

Нитрид галлия (GaN) – это полупроводниковый материал, применяемый в микроэлектронике в качестве исходного материала при изготовлении полупроводниковых приборов нового поколения. Основные сферы применения – силовая электроника диапазона до 1500 В и СВЧ-компоненты для систем связи поколения 5G, спутниковой связи, радиоэлектронных изделий специального назначения, оптоэлектроники и др.

Транзисторы на основе GaN сохраняют работоспособность при существенно более высокой температуре, чем кремниевые аналоги, способны выдерживать высокие напряжения, могут работать с очень высокой частотой, а также могут работать в условиях радиации. Использование этих свойств позволяет создавать электронную технику, значительно превосходящую существующие аналоги по таким ключевым характеристикам, как быстродействие, мощность, эффективность (до 2Х снижение потерь), компактность (до 10Х на уровне аппаратуры), устойчивость к внешним воздействиям.

В настоящее время микроэлектроника на основе нитридных технологий рассматривается всеми индустриально развитыми странами как магистральное направление, обеспечивающее не только совершенствование характеристик электронной техники, но и решение задач по энергоэффективности, улучшению экологической обстановки. Разработки в сфере микроэлектроники на базе нитридных технологий проводятся большим количеством крупных зарубежных компаний, однако, в России данное направление исследований представлено очень слабо, что создает потенциальную угрозу существенного отставания России в этой стратегической сфере.

Настоящий проект – это инициатива консорциума российских предприятий и институтов радиоэлектронной промышленности по комплексному развитию микроэлектроники на базе нитридных технологий в РФ. Дорожная карта проекта включает разработку технологий получения полупроводниковых подложек на основе нитридных соединений, создание уникального отечественного оборудования для этих целей, разработку электронных компонентов с передовыми характеристиками на основе нитридных технологий, создание на базе этих компонентов современных образцов электронной техники и выстраивание кооперационной цепочки для освоения серийного производства конкурентоспособной на мировом рынке электроники.

Потребности 1
Инвестиции
1800000 ₽
Приобретение аналитических отчетов
Приобретение аналитических отчетов ведущих отраслевых аналитиков о современном состоянии рынка нитридных технологий в области силовой электроники и в области СВЧ электроники: Power GaN 2019: Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends Market and Technology (Yole Développement),GaN-on-Silicon Transistor Comparison (System Plus Consulting), Applications & markets for GaN in Power electronics (PntPower), GaN RF market growth is fed by military and 5G wireless infrastructure applications (Yole Développement)...
Участники 6
Исследование
АО "НИИМЭ"
Поставка сырья
АО "ЭПИЭЛ"
Производство
АО НИИТМ
Наука
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
Инжиниринг
АО "ЗНТЦ"
Инфраструктура поддержки
КП "КРЗ"
Поделиться в социальных сетях: