патент
№ RU 2825743
МПК F16D27/01

Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии

Авторы:
Руднев Игорь Анатольевич Мартиросян Ирина Валерьевна Абин Дмитрий Александрович
Все (6)
Номер заявки
2023135872
Дата подачи заявки
28.12.2023
Опубликовано
28.08.2024
Страна
RU
Как управлять
интеллектуальной собственностью
Чертежи 
3
Реферат

[24]

Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента с ведущего вала на ведомый и расцепления его. Технический результат заключается в увеличении стабильности вращения ведомого вала и подшипников кинетического накопителя энергии, а также в возможности осуществления бесконтактного расцепления муфты без механического воздействия. Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта соединена с внешним приводом движения и содержит держатель с постоянными магнитами, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения. Оси симметрии двух полумуфт и вала совпадают. Ведущая полумуфта содержит держатель в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, а ведомая полумуфта содержит держатель, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам ведущей полумуфты расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы. А вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала с размещенной на ней ведомой полумуфтой, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешнюю поверхность цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель. 3 ил.

Формула изобретения

Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии, состоящая из двух цилиндрических полумуфт, причем ведущая полумуфта, соединенная с внешним приводом движения, содержит держатель с постоянными магнитами, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения, причем оси симметрии двух полумуфт и вала совпадают, отличающаяся тем, что ведущая полумуфта содержит держатель в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, а ведомая полумуфта содержит держатель, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам ведущей полумуфты расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы, а вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала с размещенной на ней ведомой полумуфтой, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором, причем на внешнюю поверхность цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель.

Описание

[1]

Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента с ведущего вала на ведомый и расцепления его.

[2]

Известна магнитная муфта (Патент № RU2666771 С2), которая имеет первую и вторую соединительные части, имеющие возможность поворота вокруг оси вращения, и по меньшей мере одну катушку, которая выполнена так, чтобы создавать магнитное поле вдоль оси вращения через первую и вторую соединительные части для бесконтактной передачи крутящего момента между первой и второй соединительными частями. Недостатком такой муфты является нестабильное и слабое магнитное поле, зависящее от материала полумуфты и размеров муфты.

[3]

Наиболее близкой по технической сущности и принятой в качестве прототипа является магнитная муфта для кинетического накопителя энергии (Seino Н. et al. Numerical Analysis and Evaluation of Electromagnetic Forces in Superconducting Magnetic Bearings and a Non-contact Permanent Magnetic Clutch // QR of RTRI. - 2010. - Vol. 51, No. 3. - P.156 - 162), содержащая две цилиндрические полумуфты, состоящие из сборок постоянных магнитов, при этом ведущая полумуфта соединена с внешним мотором, а ведомая полумуфта размещается в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения. К недостаткам этой муфты можно отнести наличие в ведомой и ведущей муфте постоянных магнитов, которые при взаимодействии или механическом расцеплении могут разбалансироваться в одном из координатных направлений, что может приводить к биениям и изгибу ведомого вала и подшипников, а также к отсутствию возможности бесконтактного расцепления муфты без механического воздействия.

[4]

Технический результат изобретения заключается в увеличении стабильности вращения ведомого вала и подшипников кинетического накопителя энергии, а также в возможности осуществления бесконтактного расцепления муфты без механического воздействия.

[5]

Технический результат достигается за счет того, что сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт, причем ведущая полумуфта, соединенная с внешним приводом движения, содержит держатель с постоянными магнитами, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения, причем оси симметрии двух полумуфт и вала совпадают. Ведущая полумуфта также содержит держатель в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, а ведомая полумуфта содержала держатель, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам ведущей полумуфты расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы, а вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала с размещенной на ней ведомой полумуфтой, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором, причем на внешнюю поверхность цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель.

[6]

Применение в муфте ведущей полумуфты с держателем в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита, таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, и ведомой полумуфты с держателем, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы, позволяет стабилизировать магнитное поле, что в свою очередь приводит к стабилизации вращения ведомого вала и подшипников.

[7]

Наличие в муфте цилиндрического медного экрана, имеющего плотный механический контакт с криорефрижератором, позволяет равномерно охлаждать высокотемпературный сверхпроводящий элемент ведомой полумуфты и осуществлять сцепку двух полумуфт за счет возникновения электромагнитного взаимодействия между постоянными магнитами ведущей полумуфты и высокотемпературными сверхпроводящими элементами ведомой полумуфты.

[8]

Наличие на внешней поверхности цилиндрического медного экрана нагревателя позволяет нагревать высокотемпературный сверхпроводящий элемент ведомой полумуфты и осуществлять бесконтактное расцепление муфты без механического воздействия.

[9]

Таким образом, все перечисленные признаки являются существенными, так как они влияют на возможность решения указанной технической проблемы и позволяют обеспечить технический результат, поскольку они находятся в причинно-следственной связи с указанным результатом.

[10]

На Фиг. 1-3 представлены примеры конкретной реализации муфты.

[11]

На Фиг. 1 изображена сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии в сборе: 1 - ведущая полумуфта, 2 - внешний привод движения, 3 - держатель постоянного магнита, 4 - постоянный ниодимовый магнит, 5 -ведомый вал, 6 - ведомая полумуфта, 7 - держатель высокотемпературного сверхпроводящего элемента, 8 - высокотемпературный сверхпроводящий элемент, 10 - полый цилиндрический медный экран. 11 - криорефрижератор, 12 -нагреватель.

[12]

На Фиг 2 А изображены две вышеупомянутые полумуфты, вид сверху: 1 -ведущая полумуфта, 3 - держатель постоянного магнита, 4 - постоянный ниодимовый магнит, 6 - ведомая полумуфта, 7 - держатель высокотемпературного сверхпроводящего элемента, 8 - высокотемпературный сверхпроводящий элемент.

[13]

На Фиг 2 Б изображены две вышеупомянутые полумуфты, вид сбоку: 1 -ведущая полумуфта, 3 - держатель постоянного магнита, 4 - постоянный ниодимовый магнит, 5 - ведомый вал, 6 - ведомая полумуфта, 7 - держатель высокотемпературного сверхпроводящего элемента, 8 - высокотемпературный сверхпроводящий элемент, 9 - силовые линии магнитного поля, создаваемые постоянным магнитом.

[14]

На Фиг 3 А изображена другая реализация двух полумуфт сверхпроводящей магнитной муфты для кинетического накопителя энергии, вид сверху: 1 - ведущая полумуфта, 6 - ведомая полумуфта, 14 - держатель постоянных магнитов, 15 -постоянные ниодимовые магниты, 17 - держатель высокотемпературных сверхпроводящих элементов, 18 - высокотемпературные сверхпроводящие элементы.

[15]

На Фиг 3 Б изображена другая реализация двух полумуфт сверхпроводящей магнитной муфты для кинетического накопителя энергии, вид сбоку: 1 - ведущая полумуфта, 14 - держатель постоянных магнитов, 15 - постоянные ниодимовые магниты, 5 - ведомый вал, 6 - ведомая полумуфта, 16 - силовые линии магнитного поля, создаваемые постоянным магнитом, 17 - держатель высокотемпературных сверхпроводящих элементов, 18 - высокотемпературный сверхпроводящий элемент.

[16]

В примере 1 приведена конкретная реализация сверхпроводящей магнитной муфты для кинетического накопителя энергии.

[17]

Муфта содержит две цилиндрические полумуфты, причем ведущая полумуфта 1, соединенная с внешним приводом движения 2, содержит держатель 3, в пазах которого расположен один постоянный ниодимовый магнит 4 диаметром 4 см и толщиной 1 см. Постоянный магнит 4 расположен в пазу держателя ведущей полумуфты 1 таким образом, чтобы создаваемое им магнитное поле 9 не обладало вращательной симметрией относительно оси ведомого вала 5, на котором расположена ведомая полумуфта 6. Ведомая полумуфта 6 содержит держатель 7, на поверхности которого, обращенной к постоянному магниту 4 расположен один высокотемпературный сверхпроводящий элемент 8, изготовленный из керамики YBa2Cu3O7-x в виде полого цилиндра, ось симметрии которого совпадает с осью симметрии вала 5. Полый цилиндр имеет внешний диаметр 9 см, внутренний диаметр 1 см и высоту 1 см. Высокотемпературный сверхпроводящий элемент 8 расположен таким образом, что возникающее от постоянного магнита 4 магнитное поле 9 проникает в сверхпроводящий элемент 8. Вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты 6 с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала 5 с размещенной на ней ведомой полумуфтой 6, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран 10, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором 11, причем на внешнюю поверхность полого цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель 12 из проводника с током, имеющим большое удельное сопротивление. Ведомая полумуфта 6 вместе с цилиндрическим медным экраном размещены в вакуумной камере 13.

[18]

Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии работает следующим образом.

[19]

Ведомая полумуфта 6 соединяется с ведомым валом 5 и размещается в вакуумной камере 13. Криорефрежератор 11 начинает свою работу и охлаждает цилиндрический медный экран 10, до температуры ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние для сверхпроводящих элементов 8. За счет лучистого теплообмена медный экран 10 охлаждает ведомую полумуфту 6 с закрепленными на ней в держателе 7 сверхпроводящими элементами 8. При переходе в сверхпроводящее состояние сверхпроводящие элементы 8 захватывают магнитное поле 9, которое создают постоянные магниты 4, закрепленные на держателе 3 ведущей полумуфты 1. В этот момент создается устойчивая электромагнитная связь между ведущей полумуфтой 1 и ведомой полумуфтой 6. Затем активируется внешний привод движения 2, который начинает раскручивать ведущую полумуфту 1 относительно оси ведомого вала 5. За счет установившейся электромагнитной связи вращение передается на ведомую полумуфту 6, и кинетический накопитель энергии начинает заряжаться. Для разрыва связи между ведущей полумуфтой 1 и ведомой полумуфтой 6 достаточно включить нагреватель 12. Нагреватель 12 увеличит температуру медного экрана 10 до температуры выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние для сверхпроводящих элементов 8. За счет лучистого теплообмена медный экран 10 нагреет ведомую полумуфту 6 с закрепленными на ней в держателе 7 сверхпроводящими элементами 8 выше температуры перехода в сверхпроводящее состояние, и сверхпроводящие элементы 8 потеряют свои магнитные свойства. При отключении нагревателя 12, сверхпроводящие элементы 8 охладятся до температуры ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние и приобретут магнитные свойства.

[20]

В примере 2 приведена другая конкретная реализация двух полумуфт сверхпроводящей магнитной муфты для кинетического накопителя энергии.

[21]

Сверхпроводящая магнитная муфта содержит две цилиндрические полумуфты, причем ведущая полумуфта 1, содержит держатель 14, в пазах которого расположены восемь одинаковых постоянных ниодимовых магнитов 15 длиной 4 см, шириной 1 см и толщиной 1 см. Постоянные магниты 15 расположены в пазах держателя 14 ведущей полумуфты 1 таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле 16 не обладало вращательной симметрией относительно оси ведомого вала 5, на котором расположена ведомая полумуфта 6. Ведомая полумуфта 6 содержит держатель 17, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам 15 расположены три высокотемпературных сверхпроводящих элемента 18, изготовленных из керамики GdBa2Cu3O7-x. Первый сверхпроводящий элемент 18 А выполнен в виде прямоугольного параллепипеда высотой 1 см, и размерами основания 2 см на 3 см. Второй сверхпроводящий элемент 18 Б выполнен в виде треугольной призмы высотой 1 см и размерами сторон треугольника в основании 5 см, 3 см, 3 см. Третий сверхпроводящий 18 В элемент выполнен в виде цилиндра диаметром 4 см и высотой 1 см. Высокотемпературные сверхпроводящие элементы 18 расположены на держателе 17 таким образом, что возникающее от постоянных магнитов 15 магнитное поле 16 проникает в сверхпроводящие элементы 18.

[22]

Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии, содержащая две полумуфты, реализованные согласно примеру 2, работает аналогично муфте, приведенной в примере 1.

[23]

Таким образом, конструкция вышеуказанной сверхпроводящей магнитной муфты для кинетического накопителя энергии позволяет увеличить стабильность вращения ведомого вала и подшипников кинетического накопителя энергии, а также осуществлять бесконтактное расцепление муфты без механического воздействия.

Как компенсировать расходы
на инновационную разработку
Похожие патенты