[1]1. Источник электронов, включающий полевой эмиттер, подложку, источник носителей заряда, по крайней мере одно балластное сопротивление, отличающийся тем, что по крайней
мере одно балластное сопротивление выполнено в виде барьера, представляющего собой границу в теле эмиттера, образованную контактом материалов с разной проводимостью.
[2] 2. Источник
электронов по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере один барьер представляет собой один из переходов, образованных границей между материалами с различной проводимостью типа n, n+, р, р+.
[3] 3. Источник электронов по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что по крайней мере один барьер образован слоем изолятора, поперечного направлению движения носителей заряда.
[4] 4.
Источник электронов по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что полевой эмиттер является выращенным эпитаксиально с подложкой.
[5] 5. Источник электронов по любому из пп.1-4, отличающийся
тем, что полевым эмиттером является острие.
[6] 6. Источник электронов по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что полевым эмиттером является лезвие.
[7] 7. Источник электронов по
любому из пп.1-6, отличающийся тем, что полевой эмиттер состоит из двух взаимнокоаксиальных частей, широкой нижней и более узкой верхней частей.
[8] 8. Источник электронов по любому из
пп.1-7, отличающийся тем, что полевой эмиттер выполнен из нитевидного кристалла кремния.
[9] 9. Источник электронов по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что вершина полевого эмиттера
заострена и покрыта алмазом или алмазоподобным материалом.
[10] 10. Источник электронов по п.9, отличающийся тем, что алмазное или алмазоподобное покрытие полевого эмиттера заострено.
[11] 11. Источник электронов по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что источник носителей заряда соединен с полевым эмиттером через подложку и/или проводящий слой, расположенный на поверхности
полевого эмиттера непосредственно или через слой изолятора.
[12] 12. Источник электронов, включающий полевой эмиттер, подложку, источник носителей заряда, по крайней мере одно балластное
сопротивление, отличающийся тем, что по крайней мере одно балластное сопротивление выполнено в виде барьера, представляющего собой границу между телом полевого эмиттера и проводящим слоем,
расположенньм на поверхности полевого эмиттера.
[13] 13. Источник электронов по п.13, отличающийся тем, что полевой эмиттер выполнен из полупроводникового материала.
[14] 14.
Источник электронов по любому из п.13 или 14, отличающийся тем, что слой, расположенный на поверхности полевого эмиттера выполнен из полупроводникового материала.
[15] 15. Источник
электронов по любому из пп.13-15, отличающийся тем, что полевой эмиттер является выращенным эпитаксиально с подложкой.
[16] 16. Источник электронов по любому из пп.13-16, отличающийся тем,
что полевым эмиттером является острие.
[17] 17. Источник электронов по любому из пп.13-17, отличающийся тем, что полевым эмиттером является лезвие.
[18] 18. Источник электронов
по любому из пп.13-18, отличающийся тем, что полевой эмиттер состоит из двух взаимнокоаксиальных частей, широкой нижней и более узкой верхней частей.
[19] 19. Источник электронов по любому
из пп.13-19, отличающийся тем, что полевой эмиттер выполнен из нитевидного кристалла кремния.
[20] 20. Источник электронов по любому из пп.13-20, отличающийся тем, что вершина полевого
эмиттера заострена и покрыта алмазом или алмазоподобным материалом.
[21] 21. Источник электронов по п.21, отличающийся тем, что алмазное или алмазоподобное покрытие полевого эмиттера
заострено.
[22] 22. Источник электронов по любому из пп.13-22, отличающийся тем, что источник носителей заряда соединен с полевым эмиттером через подложку и/или проводящий слой,
расположенный на поверхности полевого эмиттера непосредственно или через слой изолятора.
[23] 23. Источник электронов по пп.13-23, отличающийся тем, что по крайней мере один барьер
представляет собой один из переходов, образованных границей между материалами с различной проводимостью типа n, n+, р, р+.
[24] 24. Источник электронов по любому из пп.13-24, отличающийся
тем, что по крайней мере один барьер образован слоем изолятора, поперечного направлению движения носителей заряда.
[25] 25. Источник электронов, включающий полевой эмиттер, подложку,
источник носителей заряда, по крайней мере одно балластное сопротивление, отличающийся тем, что подложка имеет форму острия и выполнена из изоляционного материала и покрыта проводящим слоем, толщина
которого обеспечивает балластное сопротивление.
[26] 26. Источник электронов по п.27, отличающийся тем, что проводящий слой имеет по крайней мере один барьер для носителей заряда.
[27] 27. Источник электронов по п.28, отличающийся тем, что барьер представляет собой по крайней мере один из переходов, образованных границей между материалами с различной проводимостью типа n,
n+, р, р+.
[28] 28. Источник электронов по любому из пп.27, 28, отличающийся тем, что барьер образован по крайней мере одним слоем изолятора, поперечного направлению движения носителей
заряда.
[29] 29. Управляемый источник электронов, включающий полевой эмиттер, подложку, источник носителей заряда, по крайней мере одно балластное сопротивление, по крайней мере один
управляющий электрод, отличающееся тем, что он содержит источник электронов, выполненный по пп.1-28.
[30] 30. Управляемый источник электронов по п.29, отличающийся тем, что он содержит по
крайней мере одну активную область в теле и/или на поверхности полевого эмиттера.
[31] 31. Управляемый источник электронов по любому из пп.29 и 30, отличающийся тем, что он содержит по
крайней мере одну активную область в проводящем слое, расположенном на поверхности подложки и/или полевого эмиттера непосредственно или через слой изолятора.
[32] 32. Управляемый источник
электронов по любому из пп.29-31, отличающийся тем, что по крайней мере один управляющий электрод находится вблизи одного из барьеров для носителей заряда.
[33] 33. Управляемый источник
электронов по любому из пп.29-32, отличающийся тем, что по крайней мере один управляющий электрод расположен на боковой поверхности полевого эмиттера через изолирующий слой.
[34] 34.
Управляемый источник электронов по любому из пп.29-33, отличающийся тем, что он содержит по крайней мере один управляющий электрод, который отделен от полевого эмиттера вакуумным зазором.
[35] 35. Управляемый источник электронов по любому из пп.29-34, отличающийся тем, что по крайней мере один управляющий электрод расположен вдоль полевого эмиттера.
[36] 36. Управляемый
источник электронов по любому из пп.29-35, отличающийся тем, что управляющий электрод имеет непосредственный контакт с боковой поверхностью полевого эмиттера.
[37] 37. Управляемый источник
электронов по любому из пп.29-36, отличающийся тем, что для источника электронов, выполненного по пп.1-24, подложка является кристаллической.
[38] 38. Управляемый источник электронов по
любому из пп.29-37, отличающийся тем, что для источника электронов, выполненного по пп.1-24, подложка образована слоем изолятора и расположенным на нем слоем проводящего материала.
[39] 39.
Управляемый источник электронов по любому из пп.37 и 38, отличающийся тем, что проводящий слой подложки выполнен из монокристаллического кремния, ориентированного по кристаллографической плоскости
(111).
[40] 40. Управляемый источник электронов по любому из пп.29-39, отличающийся тем, что на его поверхности расположен слой материала, прозрачный для электронов, предотвращающий выход
химических элементов с поверхности управляемого источника электронов.
[41] 41. Управляемый источник электронов по п.40, отличающийся тем, что в качестве указанного материала использован
алмаз или алмазоподобное вещество.
[42] 42. Матричная система управляемых источников электронов, содержащая по крайней мере два управляемых источника электронов, отличающаяся тем, что по
крайней мере один из управляемых источников электронов выполнен по любому из пп.29-41.
[43] 43. Матричная система управляемых источников электронов по п.42, отличающаяся тем, что она
содержит двумерную систему из взаимноперпендикулярных рядов управляемых источников электронов.
[44] 44. Матричная система управляемых источников электронов по любому из пп. 42, 43,
отличающаяся тем, что в управляемых источниках электронов по крайней мере один управляющий электрод имеет вид диафрагмы, которая выполнена из проводящего алмаза или алмазоподобного материала.
[45] 45. Матричная система управляемых источников электронов по любому из пп. 42-44, отличающаяся тем, что подложка представляет собой ряды проводящего материала, расположенного на изоляторе.
[46] 46. Матричная система управляемых источников электронов по любому из пп. 42-45, отличающаяся тем, что управляемые источники электронов снабжены проводящими шинами, которые в каждой из
систем рядов управляемых источников электронов взаимно параллельны и перпендикулярны шинам другой системы рядов управляемых источников электронов, причем шины разных систем рядов управляемых
источников электронов расположены на разных уровнях и разделены изолятором.
[47] 47. Устройство для оптического отображения информации, содержащее матричную систему управляемых источников
электронов и анод, включающий стеклянную подложку, слой люминофора, и проводящий прозрачный слой, отличающееся тем, что матричная система управляемых источников электронов выполнена по любому из
пп.42-46.
[48] 48. Устройство для оптического отображения информации по п.47, отличающееся тем, что проводящий прозрачный слой представляет собой совокупность параллельных полосок,
перпендикулярную по крайней мере одной из систем рядов управляющих электродов источников электронов.
[49] 49. Устройство для оптического отображения информации по любому из пп.47 и 48,
отличающееся тем, что анод покрыт слоем защитного материала, прозрачного для электронов и предотвращающего выход химических элементов распада материалов анода в пространство между матричной системой
источников электронов и анодом.
[50] 50. Устройство для оптического отображения информации по п.49, отличающееся тем, что в качестве защитного материала использован алмаз или алмазоподобный
материал.
[51] 51. Устройство для оптического отображения информации по любому из пп. 49, 50, отличающееся тем, что в качестве защитного материала использован проводящий слой.
