Проект направлен на создание кооперационной цепочки в сфере микроэлектроники на основе нитридных технологий для разработки и освоения отечественных технологий

Стадия готовности - Не установлено

Уникальное преимущество

Нитрид галлия (GaN) – это полупроводниковый материал, применяемый в микроэлектронике в качестве исходного материала при изготовлении полупроводниковых приборов нового поколения. Основные сферы применения – силовая электроника диапазона до 1500 В и СВЧ-компоненты для систем связи поколения 5G, спутниковой связи, радиоэлектронных изделий специального назначения, оптоэлектроники и др.

Интеллектуальная собственность

Не установлено

Рынок

Потребность/проблема

Не установлено

Рыночное применение

Настоящий проект – это инициатива консорциума российских предприятий и институтов радиоэлектронной промышленности по комплексному развитию микроэлектроники на базе нитридных технологий в РФ. Дорожная карта проекта включает разработку технологий получения полупроводниковых подложек на основе нитридных соединений, создание уникального отечественного оборудования для этих целей, разработку электронных компонентов с передовыми характеристиками на основе нитридных технологий, создание на базе этих компонентов современных образцов электронной техники и выстраивание кооперационной цепочки для освоения серийного производства конкурентоспособной на мировом рынке электроники. ◀" "needProblem" => "В настоящее время микроэлектроника на основе нитридных технологий рассматривается всеми индустриально развитыми странами как магистральное направление, обеспечи

Емкость рынка и целевые потребители

Не установлено

Конкуренты

Не установлено

Развитие и внедрение

Модель внедрения

Не установлено

План развития

Не установлено

Потребности проекта

Кураторы фонда

8-495-870-45-55

mikprojects@cluster.mos.ru