Разработка эпитаксиальных структур для современной электронной компонентной базы

Эпитаксиальные структуры находятся в основании пирамиды, на которой строится современная радиоэлектроника. Это базовый материал для производства широкого спектра микроэлектронных компонентов, применяемых в электронной технике гражданского, военного и космического назначения.

Технические характеристики геосеток на основе базальтоволокна (Тип 1 / Тип 2):

Масса на единицу площади 250 / 500 г/ м²;

Разрывная нагрузка не менее, вдоль и поперек 50 / 100 кН/м;

Удлинение при разрыве не более, вдоль и поперек 3% / 3 %;

Допустимая потеря прочности на растяжение после 25 циклов промораживания-оттаивания не более 5% / 5%;

Массовая доля веществ, удаляемых при прокаливании не менее 18% / 18%;

Размеры стороны ячеек по просвету (±2%) 25 мм / 25 мм;

Максимальная ширина рулона (±2%) 540 см / 540 см;