Микроэлектроника

Разработка эпитаксиальных структур для современной электронной компонентной базы

Базовый материал для производства широкого спектра микроэлектронных компонентов, применяемых в электронной технике гражданского, военного и космического назначения
Кластер
Инновационный территориальный кластер «Зеленоград»
О проекте

Эпитаксиальные структуры находятся в основании пирамиды, на которой строится современная радиоэлектроника. Это базовый материал для производства широкого спектра микроэлектронных компонентов, применяемых в электронной технике гражданского, военного и космического назначения.

 

Технические характеристики геосеток на основе базальтоволокна (Тип 1 / Тип 2):

 

Масса на единицу площади 250 / 500 г/ м²;

Разрывная нагрузка не менее, вдоль и поперек 50 / 100 кН/м;

Удлинение при разрыве не более, вдоль и поперек 3% / 3 %;

Допустимая потеря прочности на растяжение после 25 циклов промораживания-оттаивания не более 5% / 5%;

Массовая доля веществ, удаляемых при прокаливании не менее 18% / 18%;

Размеры стороны ячеек по просвету (±2%) 25 мм / 25 мм;

Максимальная ширина рулона (±2%) 540 см / 540 см;

 

Кремниевые эпитаксиальные структуры

Кремний на сапфире

Нестандартные структуры

Типовые применения:

  • Интегральные схемы
  • Диоды
  • Транзисторы
  • и другие применения

Типовые применения:

  • Интегральные схемы
  • Датчики давления (тензо-чувствительные элементы) и другие

Нестандартные спецификации:

  • Высокоомные нелегированные слои
  • Ультра-толстые слои
  • Многослойные эпитаксиальные структуры
  • Переменный профиль легирования и другие

 

Участники 3
Производство
АО "ЭПИЭЛ"
Производство
ПАО "МИКРОН"
Поделиться в социальных сетях: