Создание фазированной антенной решетки для использования в спутниковой и наземной беспроводной связи (в том числе 5G), радиолокации и компьютерном зрении, mesh-сетях

Инициатор
Отрасль
Космос

О проекте

Дата запуска

1 квартал 2021 года

Лидеры и их опыт

Александр Дроздов- доктор технических наук, профессор РФТК, МФТИ. Вячеслав Камнев- кандидат технических наук, управляющий партнер в успешных телекоммуникационных и медийных компаниях.

Ресурсы и инфраструктура

Компетентная команда специалистов в области спутниковых систем, технологий ФАР и микроэлектроники в составе 20 человек. Возможность использования инфраструктуры Сколково и МФТИ.

Партнёры

ЗАО «Оптимизирующие технологии»

Текущее состояние

Разработана концепция создания базового элемента ФАР, подготовлено Техническое задание на аванпроект

Общая информация

Дополнительные материалы

Участники проекта (1)

Технология/продукт

Описание

Фазированные антенные решетки (ФАР) с интегрированными в антенные элементы приёмо-передающими модулями являются ключевым элементом радиоэлектронных средств связи (РЭС) нового поколения. Создания базового элемента ФАР в широком диапазоне частот и разработка технологии унификации и масштабирования ФАР обусловлены потребностями спутниковой связи, перспективных наземных сетей связи (в том числе 5G и WiFi-6), Mesh сетей, многолучевых комплексов радиолокации.

Стадия готовности - Идея

Уникальное преимущество

Основным элементом базового элемента ФАР является Система на кристалле (СнК). Сменой программного обеспечения в СнК обеспечивается возможность применения базового элемента ФАР в перспективных беспроводных РЭС различного назначения: спутникового, радиолокационного и мобильных наземных (в том числе 5G и WiFi-6) сетях следующего поколения в диапазонах частот от 670 МГц до 31 Гц

Интеллектуальная собственность

не установлено

Рынок

Потребность/проблема

Быстрое развитие и внедрение новых технологий беспроводной высокоскоростной связи основывается на создании высокоэнергетических многолучевых радиоэлектронных средств (РЭС) связи, адаптированных к изменяемым параметрам каналов связи и помеховой обстановки. Ключевой элемент РЭС нового поколения-фазированные антенные решетки с интегрированными в антенные элементы приёмо-передающими модулями.

Рыночное применение

Терминалы спутниковой связи, базовые станции, полезная нагрузка спутников связи и ДЗЗ, системы навигации на транспорте, системы управления движением в морском и воздушном транспорте.

Емкость рынка и целевые потребители

Пассажиры различных видов транспорта- до 6 млн. абонентских терминалов; компании-разработчики спутников, систем радиолокации и компьютерного зрения; операторы сотовых сетей- сотни базовых станций

Конкуренты

SatixFy/ HiSky/ Anokiwave/ Analog Devices,/Renesas (IDT)/ NXP/ Kymeta/ ALCAN/ Antenna Company/Infineon/JMA Wireless/Pabellon/ Qorvo/Qualcomm Technologies/ TMYTEK/Wafer LLC.

Развитие и внедрение

Модель внедрения

Предоставление производителям, вендорам, участникам телекоммуникационного рынка в России и за рубежом лицензионных прав на производство телекоммуникационного оборудования и получение роялти за каждое произведенное устройство. Продажа вендорам и дистрибутерам Систем на кристалле (СнК) и Базового элемента ФАР на основе СнК

План развития

Разработка бизнес-плана, упаковка проекта-1 месяц. Представление проекта инвесторам, одобрение проекта, открытие финансирования- 3 месяца. Разработка Аванпроекта и ТЗ на ОКР- 3 месяца. ОКР по разработке Систем на кристалле (СнК)- 30 месяцев. ОКР по разработке базового элемента ФАР на основе СнК- 12 месяцев, изготовление и испытания прототипа-2 месяца, корректировка КД, серийное производство.

Потребности проекта

на создание СнК- 900 млн. рублей; на создание БЭФ-120 млн.рублей

Инвестиции
на создание СнК- 900 млн. рублей; на создание БЭФ-120 млн.рублей

для производства многодиапазонных СВЧ- интегральных микросхем

Партнеры
для производства многодиапазонных СВЧ- интегральных микросхем (от 500 кв.м.)

SiGe, InP, GaN технологии или их комбинационное применение. Моделирование элементов приемных и перед

Технологии
SiGe, InP, GaN технологии или их комбинационное применение. Моделирование элементов приемных и передающих трактов многодиапазонной СВЧ-микросхемы, режимов работ

по производству микроэлектроники

Партнеры
по производству микроэлектроники

Партнеры по производству микроэлектроники и телекоммуникационного оборудования

Партнеры
Партнеры по производству микроэлектроники и телекоммуникационного оборудования
Кураторы фонда
Вы нашли подходящее предложение?
Если ваша потребность удовлетворена, ее необходимо закрыть
Обустройство для лаборатории
Помещение

Требуется просторное помещение не мене 200 м2 для обустройства лаборатории в центре горада с подъездными путями и порковными местами не мене чем на 50 машиномест. Обязательное требования: наличие вытяжной вентиляции, пожарная и охранная сигнализация.